光刻材料中陰離子的測定
光刻工藝是半導(dǎo)體制造中最為重要的工藝步驟之一。主要作用是將掩膜板上的圖形復(fù)制到硅片上,為下一步進行刻蝕或者離子注入工序做好準備。光刻的成本約為整個硅片制造工藝的 1/3,耗費時間約占整個硅片工藝的 40~60%。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、檢測等工序。光刻膠是一種經(jīng)過嚴格設(shè)計的復(fù)雜、精密的配方產(chǎn)品,由樹脂、光引發(fā)劑、單體、添加劑等不同性質(zhì)的原料,通過不同的排列組合,經(jīng)過復(fù)雜、精密的加工工藝而制成。目前集成電路的集成水平已由原來的微米級水平進入納米級水平,為了匹配集成電路的發(fā)展水平,制備超凈高純試劑的純度也由 SEMI G1 逐漸提升到 SEMI G4 級水平,對雜質(zhì)的檢驗?zāi)芰σ笠蚕鄳?yīng)提高。
(1)陰離子
分析柱:SH-G-1+SH-AC-11
流動相:15 mM KOH(EG)
流速:1.0 mL/min
柱溫:35℃
抑制器:SHY-A-6
進樣體積:100 μL
前處理:稱取 2 g 樣品于 50 mL 樣品管中,加入 10 mL 去離子水,于 60℃水浴 1 h,取出冷卻至室溫,提取液過 0.22 μm 一次性針頭過濾器后進樣分析。
色譜測量數(shù)據(jù)
PC 中陰離子譜圖
色譜測量數(shù)據(jù)
PP 中陰離子譜圖
色譜測量數(shù)據(jù)
ABS 中陰離子譜圖
(2)陽離子
分析柱:SH-G-1+SH-CC-3L
流動相:6 mM MSA(EG)
流速:1.0 mL/min
柱溫:35℃
抑制器:SHY-A-6
進樣體積:100 μL
前處理:稱取 2 g 樣品于 50 mL 樣品管中,加入 10 mL 去離子水,于 60℃水浴 1 h,取出冷卻至室溫,提取液過 0.22 μm 一次性針頭過濾器后進樣分析。
色譜測量數(shù)據(jù)
PC 中陰離子譜圖
色譜測量數(shù)據(jù)
PP 中陰離子譜圖
色譜測量數(shù)據(jù)
ABS 中陰離子譜圖
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